CBNのヘテロエピタキシー

ダイヤモンドを基質として使用します。これは、格子定数とCBNのそれに非常に近い表面エネルギーを持つため、CBNのヘテロエピタキシャル成長を可能にします。これらのエピタキシャルシングル-クリスタルCBN薄膜の成功により、CBN薄膜を使用して半導体デバイスを製造することが可能になりました。

 

 

さらに、他の材料は、CBNフィルムのヘテロエピタキシャル成長の基質としても使用できます。たとえば、シリコン基質のpre -処理後、TBNは基質上で直接成長し、遷移層の厚さを効果的に減少させることができます。

 

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